Страница 1 2 3 4 5 6 7

Зависимость между микроструктурой материала и качеством высоковольтных изоляторов (Продолжение)

Практические примеры анализа микроструктур электрофарфора
Ниже рассмотрены результаты анализа микроструктур различных видов фарфора, применяемого для изготовления изоляторов. Представленные микрофотографии наглядно отражают различия структур. Образец А приготовлен из японского электрофарфора марки С110/112 выпуска 1997 г. Образец В — электрофарфор компании Siemens марок С120 и С130, изготовленный в 2001 г. Образец С — высокопрочный бокситовый фарфор С130, разработанный компанией Siemens в 2001 г.

Предварительно была проведена керамографическая подготовка образцов указанным способом (алмазное шлифование и т. д.), после чего исследовались поры, микротрещины и кристаллические фазы микроструктуры:
  • для исследования пор были сделаны микроснимки полированной поверхности шлифов в светлом поле светового микроскопа с увеличением 100:1 и на электронном микроскопе РЭМ с увеличением 200:1;
  • для изучения микротрещин использованы снимки на микроскопе РЭМ с увеличением от 2000:1 до 5000:1;
  • кристаллические фазы микроструктуры выявлялись с помощью микроснимков (РЭМ), выполненных с увеличением от 1000:1 до 5000:1. Для этого образцы были подвергнуты химическому травлению.
На рис. 3 – 9 приведены реальные микроструктуры различных образцов, из которых видны наиболее значительные различия между ними.
Рис. 3. Микроструктуры образцов (полированный шлиф), снятые на световом (СМ) и растровом электронном (РЭМ) микроскопах с увеличением 100:1 и 200:1
а — образец А, японский изолятор NKG (1997 г.);
б — образец В, глиноземистый фарфор марки 1605 компании Siemens;
c — образец С, высокопрочный бокситовый фарфор компании Siemens (2001 г.)
Страница 1 2 3 4 5 6 7